LEEM-11 Pomiar charakterystyk VI składników nieliniowych
Tradycyjne cyfrowe woltomierze mają zazwyczaj rezystancję wewnętrzną wynoszącą zaledwie 10 MΩ, co wprowadza duży błąd podczas pomiaru komponentów o wysokiej rezystancji. Tester innowacyjnie wykorzystuje woltomierz o ultrawysokiej rezystancji wewnętrznej, która jest znacznie większa niż 1000 MΩ, znacznie zmniejszając błąd systemu. W przypadku konwencjonalnych rezystorów mniejszych niż 1 MΩ błąd systemu spowodowany rezystancją wewnętrzną woltomierza można zignorować, niezależnie od woltomierza wewnętrznego i zewnętrznego; w przypadku wysokiej rezystancji można również dokładnie zmierzyć fototubę i inne komponenty o rezystancji większej niż 1 MΩ. W ten sposób tradycyjne podstawowe eksperymenty rozszerzają treść nowych eksperymentów.
Główna treść eksperymentalna
1. Pomiar charakterystyk woltamperometrycznych zwykłego rezystora; pomiar krzywych charakterystyk woltamperometrycznych diod i diod regulatorów napięcia.
2. Pomiar charakterystyk wolto-amperowych diod elektroluminescencyjnych, żarówek wolframowych.
3. Eksperymenty innowacyjne: pomiar charakterystyk wolto-amperowych dużej rezystancji i pojemności.
4. Eksperyment badawczy: badanie wpływu rezystancji wewnętrznej miernika na pomiar charakterystyk wolto-amperowych.
Główne parametry techniczne
1. Za pomocą regulowanego zasilacza, rezystora zmiennego, amperomierza, woltomierza o wysokiej rezystancji i testowanych komponentów itp.
2. Zasilacz regulowany prądem stałym: 0 ~ 15 V, 0,2 A, podzielony na dwa stopnie dostrajania zgrubnego i dokładnego, z możliwością ciągłej regulacji.
3. woltomierz o bardzo wysokiej rezystancji wewnętrznej: wyświetlacz czteroipółcyfrowy, zakres 2 V, 20 V, równoważna impedancja wejściowa > 1000 MΩ, rozdzielczość: 0,1 mV, 1 mV; 4 dodatkowe zakresy: rezystancja wewnętrzna 1 MΩ, 10 MΩ.
4. amperomierz: wyświetlacz czteroipółcyfrowy, cztery zakresy: 0 ~ 200 μA, 0 ~ 2 mA, 0 ~ 20 mA, 0 ~ 200 mA, rezystancja wewnętrzna.
0 ~ 200mA, rezystancja wewnętrzna odpowiednio: 1kΩ, 100Ω, 10Ω, 1Ω.
5, zmienna rezystancja skrzynki: 0 ~ 11200Ω, z idealnym obwodem zabezpieczającym przed przepaleniem komponentów.
6. Elementy mierzone: rezystory, diody, regulatory napięcia, diody elektroluminescencyjne, małe żarówki, itp.
